[하드웨어 뉴스] 삼성, 12나노 DDR5 16Gb DRAM 양산 시작: 최대 7200Mbps 및 23% 효율

※ 컴퓨터 하드웨어 뉴스 ※

원문 출처 : https://wccftech.com/samsung-begins-12nm-ddr5-16-gb-dram-mass-production-up-to-7200-mbps-23-efficient/

 

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삼성은 12나노 프로세스 노드를 활용할 새로운 16Gb DDR5 DRAM의 대량 생산을 시작했습니다.

 

삼성의 다가오는 DDR5 DRAM은 12나 프로세스 노드 덕분에 더 효율적이고 더 높은 전송 속도를 제공할 것입니다.

 

보도 자료: 첨단 메모리 기술의 세계적 리더인 삼성전자는 오늘 업계에서

가장 앞선 12나노미터(nm)급 공정 기술을 활용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램의 양산을 시작했다고 발표했습니다. 

삼성의 최첨단 제조 공정 완성은 최첨단 DRAM 기술의 리더십을 재확인합니다.

 

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삼성 신형 12나노급 DDR5램은 이전 세대 대비 전력 소모는 최대 23% 줄이고 웨이퍼 생산성은 최대 20% 높였습니다. 

탁월한 전력 효율성으로 인해 서버와 데이터 센터의 에너지 소비와 탄소 배출량을 줄이려는

글로벌 IT 기업에 이상적인 솔루션입니다.

 

 

삼성12나노급 공정 기술 개발은 셀 정전용량 증가에 도움이 되는 새로운 하이-K 물질을 사용했기 때문에 가능했습니다. 

커패시턴스가 높으면 데이터 신호에 상당한 전위차가 발생하여 신호를 정확하게 구별하기가 더 쉬워집니다. 

작동 전압을 낮추고 소음을 줄이기 위한 노력도 고객이 원하는 최적의 솔루션을 제공하는 데 도움이 되었습니다.

 

최대 속도 7.2Gbps(30GB UHD 영화 두 편을 약 1초에 처리할 수 있는 속도)를 자랑하는

삼성의 12nm급 DDR5 DRAM 라인업은 데이터 센터, 인공 지능, 차세대 컴퓨팅에 사용될것입니다.

 

 

삼성전자는 차세대 D램 시장의 혁신을 주도하기 위해 글로벌 IT 기업들과 지속적으로 협력하고 있습니다. 

삼성의 16기가 DDR5 D램은 지난해 12월 AMD와의 호환성 평가를 마치고 2023년 하반기 양산에 들어갈 예정입니다.